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NIF5003NT1G
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NIF5003NT1G

  • 商品货号:NIF5003NT1G
  • 商品库存: 20000
  • 商品品牌:on semiconductor
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NIF5003NT1G产品详细规格

规格书 NIF5003NT1G datasheet 规格书
NIF5003NT1G datasheet 规格书
NIF5003N
NIF5003NT1G datasheet 规格书
文档 Datasheet MSL Updated 2/April/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Specification Change MSL Updated 2/April/2007
标准包装 1.000
Low Side
Input 型 Non-Inverting
输出数 1
导通状态电阻 53 mOhm
电流 - 输出/通道 -
Current - Peak 输出功率 14A
- 电源电压 -
操作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4. TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 42 V
最大连续漏极电流 14 A
RDS -于 53(Typ)@10V mOhm
最大门源电压 ±14 V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±14
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 53(Typ)@10V
最大漏源电压 42
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-223
最大功率耗散 1900
最大连续漏极电流 14
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
输出数 1
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 SOT-223
导通状态电阻 53 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 14A
封装/外壳 TO-261-4. TO-261AA
类型 Low Side
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NIF5003NT1GOSCT
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 14 V
连续漏极电流 14 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 53 mOhms
功率耗散 1.25 W
最低工作温度 - 55 C
配置 Single Dual Drain
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 42 V
RoHS RoHS Compliant
栅源电压(最大值) �14 V
漏源导通电阻 0.053 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
极性 N
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 42 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :14A
Drain Source Voltage Vds :42V
On Resistance Rds(on) :53mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.7V
功耗 :1.9W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Avalanche Single Pulse Energy Eas :233mJ
Clamping Voltage Vc Max :42V
Current Id Max :14A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
引脚配置 :1(G).2(D).3(S). 4-TAB(D)
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :42V
Voltage Vgs Max :14VDC
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :2.2V
Voltage Vgs th Min :1V
Weight (kg) 0.000124
Tariff No. 85412900
associated RE901

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