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NID9N05CLT4G
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NID9N05CLT4G

  • 商品货号:NID9N05CLT4G
  • 商品库存: 3554
  • 商品品牌:ON Semiconductor
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NID9N05CLT4G产品详细规格

规格书 NID9N05CLT4G datasheet 规格书
NID9N05(A)CL
NID9N05CLT4G datasheet 规格书
NID9N05CLT4G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2.500
Low Side
Input 型 Non-Inverting
输出数 1
导通状态电阻 153 mOhm
电流 - 输出/通道 -
Current - Peak 输出功率 9A
- 电源电压 -
操作温度 -55°C ~ 175°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3. DPak (2 Leads + Tab). SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±15
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 181@4V
最大漏源电压 59
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 1740
最大连续漏极电流 9
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
输出数 1
安装类型 Surface Mount
标准包装 2.500
供应商设备封装 DPAK-3
工作温度 -55°C ~ 175°C
导通状态电阻 153 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 9A
封装/外壳 TO-252-3. DPak (2 Leads + Tab). SC-63
类型 Low Side
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NID9N05CLT4GOSCT
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 15 V
连续漏极电流 9 A
正向跨导 - 闵 24 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 90 mOhms
功率耗散 1.74 W
最低工作温度 - 55 C
典型关闭延迟时间 2.5 us
上升时间 500 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 52 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 1800 ns
associated RE901
FK 244 13 D PAK
FK 244 08 D PAK

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