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SDINB1-512产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 112

格式 - 记忆 FLASH

Memory 型 FLASH - NAND

内存大小 4G (512M x 8)

速度 -

接口 SD/SPI Serial

- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V

操作温度 -25°C ~ 85°C

包/盒 56-BGA

供应商器件封装 56-BGA (18x12)

包装材料 Tray

封装 Tray

格式 - 存储器 FLASH

标准包装 112

供应商设备封装 56-BGA (18x12)

内存类型 FLASH - NAND

工作温度 -25°C ~ 85°C

存储容量 4G (512M x 8)

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

封装/外壳 56-BGA

接口 SD/SPI Serial

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SDINB1-512

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SDINB1-512产品详细规格

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王工

伍工

罗工

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	112
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	4G (512M x 8)
速度	-
接口	SD/SPI Serial
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-25°C ~ 85°C
包/盒	56-BGA
供应商器件封装	56-BGA (18x12)
包装材料	Tray
封装	Tray
格式 - 存储器	FLASH
标准包装	112
供应商设备封装	56-BGA (18x12)
内存类型	FLASH - NAND
工作温度	-25°C ~ 85°C
存储容量	4G (512M x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	56-BGA
接口	SD/SPI Serial