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DS2016-100产品详细规格

规格书
 DS2016

Rohs Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装 16

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 SRAM

内存大小 16K (2K x 8)

速度 100ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 2.7 V ~ 5.5 V

操作温度 -40°C ~ 85°C

包/盒 24-DIP (0.600. 15.24mm)

供应商器件封装 24-PDIP

包装材料 Tube

封装 Tube

格式 - 存储器 RAM

标准包装 16

供应商设备封装 24-PDIP

内存类型 SRAM

工作温度 -40°C ~ 85°C

存储容量 16K (2K x 8)

电压 - 电源 2.7 V ~ 5.5 V

封装/外壳 24-DIP (0.600'. 15.24mm)

接口 Parallel

速度 100ns

其他名称 DS2016100

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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内存

嵌入式

接口

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电源管理芯片

线性

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DS2016-100

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王工

伍工

罗工

规格书	DS2016
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	16
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM
内存大小	16K (2K x 8)
速度	100ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 5.5 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	24-DIP (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装	24-PDIP
包装材料	Tube
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
标准包装	16
供应商设备封装	24-PDIP
内存类型	SRAM
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	16K (2K x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 5.5 V
封装/外壳	24-DIP (0.600'. 15.24mm)
接口	Parallel
速度	100ns
其他名称	DS2016100
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant