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DS1265W-100+产品详细规格
规格书
DS1265W
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 9 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 8M (1M x 8) 速度 100ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 36-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 36-EDIP 包装材料 Box RoHS RoHS Compliant 数据总线宽度 8 bit 存储容量 8 Mbit 组织 1 M x 8 接口类型 Parallel 访问时间 100 ns 电源电压 - 最大 3.6 V 电源电压 - 最小 3 V 工作电流 50 mA 最高工作温度 + 70 C 最低工作温度 0 C 封装/外壳 EDIP 封装 Tube 安装风格 Through Hole 零件号别名 90-1265W+100 格式 - 存储器 RAM 标准包装 1 供应商设备封装 36-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 工作温度 0°C ~ 70°C 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 接口 Parallel 速度 100ns RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 系列 DS1265W
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