NAND256W3A2BZA6E产品详细规格

规格书	NAND128-A. NAND256-A
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.518
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	256M (32M x 8)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	55-TFBGA
供应商器件封装	55-VFBGA (8x10)
包装材料	Tray
包装	55VFBGA
电池类型	SLC NAND
密度	256 Mb
建筑	Sectored
块组织	Symmetrical
典型工作电源电压	3|3.3 V
扇区大小	16Kbyte x 2048
支持页面模式	Yes
定时类型	Asynchronous
工作温度	-40 to 85 °C
地址总线宽度	25 Bit
接口类型	Parallel
页面大小	256/512 Words/byte
标准包装	Trays
安装	Surface Mount
包装宽度	8
包装长度	10
PCB	55
筛选等级	Industrial
地址总线宽度	25
典型工作电源电压	3|3.3
欧盟RoHS指令	Compliant
字数	32M
最低工作温度	-40
供应商封装形式	VFBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	85
每字位数	8
引导块	No
最低工作电源电压	2.7
引脚数	55
最大工作电流	20
包装高度	0.65
最大随机存取时间	12000
封装	Tray
最大工作电源电压	3.6
密度	256M
铅形状	Ball
格式 - 存储器	FLASH
供应商设备封装	55-VFBGA (8x10)
内存类型	FLASH - NAND
存储容量	256M (32M x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	55-TFBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
访问时间（最大）	12000 ns
地址总线	25 b
引导类型	Not Required
工作温度范围	-40C to 85C
包装类型	VFBGA
字长	8 b
工作温度（最大）	85C
工作温度（最小值）	-40C
同步/异步	Asynchronous
工作温度分类	Industrial
可编程	Yes
电源电流	20 mA
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3/3.3 V
工作电源电压（最小值）	2.7 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V
删除	Compliant

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