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NAND256W3A2BN6E
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NAND256W3A2BN6E

  • 商品货号:NAND256W3A2BN6E
  • 商品库存: 1161
  • 商品品牌:micron
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NAND256W3A2BN6E产品详细规格

规格书 NAND256W3A2BN6E datasheet 规格书
NAND128-A. NAND256-A
NAND256W3A2BN6E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 576
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - NAND
内存大小 256M (32M x 8)
速度 -
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 48-TFSOP (0.724. 18.40mm Width)
供应商器件封装 48-TSOP (12x20)
包装材料 Tray
包装 48TSOP
电池类型 SLC NAND
密度 256 Mb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 16Kbyte x 2048
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 25 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 256/512 Words/byte
标准包装 Trays
支持页面模式 Yes
安装 Surface Mount
包装宽度 18.4
包装长度 12
PCB 48
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 25
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 32M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TSOP
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 85
每字位数 8
引导块 No
最低工作电源电压 2.7
引脚数 48
最大工作电流 20
包装高度 1
最大随机存取时间 12000
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
密度 256M
铅形状 Gull-wing
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 48-TSOP (12x20)
内存类型 FLASH - NAND
存储容量 256M (32M x 8)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 48-TFSOP (0.724'. 18.40mm Width)
接口 Parallel
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
访问时间(最大) 12000 ns
地址总线 25 b
引导类型 Not Required
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 TSOP
字长 8 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 20 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3/3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
删除 Compliant
Memory Configuration :32K x 8bit
Supply Voltage Min :1.7V
Supply Voltage Max :1.95V
Memory Case Style :TSOP
No. of Pins :48
访问时间 :12µs
IC Interface Type :-
Operating Temperature Min :-40°C
Operating Temperature Max :85°C
MSL :MSL 3 - 168 hours
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Base Number :256
Block Size :16896Byte
Memory Voltage Vcc :3.3V
工作温度范围 :-40°C to +85°C
Read Cycle Time tRC :50ns
Read/Write Cycles :3
Supply Voltage Range :1.7V to 1.95V. 2.7V to 3.6V
端接类型 :SMD
Voltage Vcc :3.3V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85411000
associated LEAPER-48
RE900-01
RE900-02
DATAMAN 48PRO+

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