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MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
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MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR

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MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR产品详细规格

文档 Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1.000
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - NAND
内存大小 2G (128M x 16)
速度 -
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 1.7 V ~ 1.95 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 63-VFBGA
供应商器件封装 63-VFBGA (10.5x13)
包装材料 Tape & Reel (TR)
封装 Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 63-VFBGA (10.5x13)
内存类型 FLASH - NAND
工作温度 -40°C ~ 85°C
存储容量 2G (128M x 16)
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
标准包装 1.000
接口 Parallel
封装/外壳 63-VFBGA
其他名称 557-1542-1
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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