MB85R1002ANC-GE1产品详细规格

规格书	MB85R1002A
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	FRAM (Ferroelectric RAM)
内存大小	1M (64K x 16)
速度	150ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	48-TFSOP (0.488. 12.40mm Width)
供应商器件封装	48-TSOP
包装材料	Tray
匹配代码	MB85R1002ANC-GE1
U（ CC ）最小	3.0V
密度	1Mbit
单位包	128
标准的提前期	16 weeks
最小起订量	1280
包装	TSOP48
Permis.T （ A）分	-40°C
U（ CC）最大	3.6V
读/写CYCL	1B
Permis.T （A ）最大	85°C
汽车	NO
类型	PARALLEL
组织	64Kx16
无铅Defin	RoHS-conform
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	48-TSOP
内存类型	FRAM (Ferroelectric RAM)
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	1M (64K x 16)
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
标准包装	1.000
接口	Parallel
速度	150ns
其他名称	865-1169
封装/外壳	48-TFSOP (0.488'. 12.40mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
associated	CR 88 D00830

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