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MB85R256FPFCN-G-BNDE1产品详细规格
规格书
MB85R256F
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1.000 格式 - 记忆 RAM Memory 型 FRAM (Ferroelectric RAM) 内存大小 256K (32K x 8) 速度 150ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 28-TSSOP (0.465. 11.8mm Width) 供应商器件封装 28-TSOP I 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 28-TSOP I 内存类型 FRAM (Ferroelectric RAM) 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 256K (32K x 8) 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V 标准包装 1.000 接口 Parallel 速度 150ns 其他名称 865-1170 封装/外壳 28-TSSOP (0.465'. 11.80mm Width)
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