NTGD1100LT1G产品详细规格

规格书	NTGD1100L
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装	3.000
型	General Purpose
输出数	1
RDS（ON）	55 mOhm
内部开关（S）	Yes
电流限制	3.3A
Voltage - 输入	1.8 V ~ 8 V
操作温度	-50°C ~ 150°C
安装类型	Surface Mount
包/盒	SC-74. SOT-457
供应商器件封装	6-TSOP
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	6TSOP
渠道类型	N|P
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	8@P Channel V
RDS -于	140@P Channel mOhm
最大门源电压	8@N Channel V
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Cut Tape
最大门源电压	8@N Channel
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	TSOP
包装高度	0.94
最大功率耗散	830
封装	Tape and Reel
最大漏源电阻	140@P Channel
最低工作温度	-55
每个芯片的元件数	2
包装宽度	1.5
供应商封装形式	TSOP
包装长度	3
PCB	6
最大漏源电压	8@P Channel
引脚数	6
铅形状	Gull-wing
输出数	1
安装类型	Surface Mount
RDS（ON）	55 mOhm
供应商设备封装	6-TSOP
电流限制	3.3A
电压 - 电压	1.8 V ~ 8 V
类型	General Purpose
内部开关（S ）	Yes
封装/外壳	SC-74. SOT-457
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	NTGD1100LT1GOSCT
类别	Power MOSFET
配置	Dual Drain. Dual Gate. Dual Source
外形尺寸	3.1 x 1.7 x 1mm
身高	1mm
长度	3.1mm
最大连续漏极电流	±3.3 A
最大漏源电阻	140 mΩ
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	0.83 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	TSOP
宽度	1.7mm
栅源电压（最大值）	8 V
功率耗散	0.83 W
漏源导通电阻	0.14 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
极性	N/P
元件数	2
工作温度分类	Military
漏源导通电压	8@P Channel V
弧度硬化	No

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