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HCF4011BEY
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HCF4011BEY

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HCF4011BEY产品详细规格

规格书 HCF4011BEY datasheet 规格书
HCF4011BEY datasheet 规格书
HCF4011B
HCF4011BEY datasheet 规格书
文档 HCF4011 View All Specifications
MEMS and Sensors 27/Aug/2013
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
其他相关文件 HCF4011 View All Specifications
标准包装 25
Logic 型 NAND Gate
数字电路 4
输入数量 2
特点 -
- 电源电压 3 V ~ 20 V
电流静态(最大) 5µA
- 输出电流高,低 6.8mA. 6.8mA
逻辑水平低 1.5 V ~ 4 V
逻辑水平高 3.5 V ~ 11 V
操作温度 -55°C ~ 125°C
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 14-DIP
包/盒 14-DIP (0.300. 7.62mm)
包装材料 Tube
包装 14PDIP
逻辑功能 NAND
每个元件的选择输入数 0
最低工作电源电压 3 V
最大工作电源电压 20 V
最大传播延迟时间@最大CL 250@5V|120@10V|90@15V ns
工作温度 -55 to 125 °C
标准包装 Rail / Tube
典型工作电源电压 3.3|5|9|12|15|18
标准包装名称 PDIP
加工技术 CMOS
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 125
最大静态电流 5
元素输入 2-IN
最大低电平输出电流 2.4(Min)
逻辑系列 4000B
元素输出数 1
封装 Tube
最大高电平输出电流 -2.4(Min)
供应商封装形式 PDIP
最大工作电源电压 20
最低工作温度 -55
铅形状 Through Hole
最低工作电源电压 3
引脚数 14
每个芯片的元件数 4
单位包 25
最小起订量 7000
输入数 2
安装类型 Through Hole
输出 - 电流高,低 6.8mA. 6.8mA
逻辑类型 NAND Gate
电流 - 静态(最大) 5µA
供应商设备封装 14-DIP
电压 - 电源 3 V ~ 20 V
最大传递延迟@ V ,最大CL 90ns @ 15V. 50pF
逻辑电平 - 高 3.5 V ~ 11 V
逻辑电平 - 低1.5 V 〜 4 V 1.5 V ~ 4 V
电路数 4
其他名称 497-1345-5
封装/外壳 14-DIP (0.300'. 7.62mm)
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
外形尺寸 20 x 7.1 x 5.1mm
身高 5.1mm
长度 20mm
最大低电平输出电流 2.4mA
最高工作温度 +125 °C
最低工作温度 -55 °C
元件数 4
包装类型 PDIP
传输延时测试条件 50pF
宽度 7.1mm
技术 CMOS
逻辑功能 NAND
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 125C
静态电流 5 uA
传播延迟时间 90 ns
元件数 4
高电平输出电流 -2.4 mA
工作温度分类 Military
输出数 1
低电平输出电流 2.4 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3.3/5/9/12/15/18 V
工作电源电压(最小值) 3 V
工作电源电压(最大值) 20 V
associated HEF4011BP

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