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HEF4011BP.652
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HEF4011BP.652

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HEF4011BP.652产品详细规格

规格书 HEF4011BP.652 datasheet 规格书
HEF4011BP.652 datasheet 规格书
文档 PM45 from ICN6 to ICN8 13/Jul/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 25
Logic 型 NAND Gate
数字电路 4
输入数量 2
特点 -
- 电源电压 3 V ~ 15 V
电流静态(最大) 1µA
- 输出电流高,低 3.4mA. 3.4mA
逻辑水平低 1.5 V ~ 4 V
逻辑水平高 3.5 V ~ 11 V
操作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 14-DIP
包/盒 14-DIP (0.300. 7.62mm)
包装材料 Tube
包装 14PDIP
逻辑功能 NAND
每个元件的选择输入数 0
最低工作电源电压 3 V
最大工作电源电压 15 V
最大传播延迟时间@最大CL 110@5V|45@10V|35@15V ns
工作温度 -40 to 125 °C
抗辐射 No
标准包装 Bulk
输入数 2
安装类型 Through Hole
输出 - 电流高,低 3.4mA. 3.4mA
逻辑类型 NAND Gate
供应商设备封装 14-DIP
电流 - 静态(最大) 1µA
封装 Tube
电压 - 电源 3 V ~ 15 V
最大传递延迟@ V ,最大CL 35ns @ 15V. 50pF
逻辑电平 - 低1.5 V 〜 4 V 1.5 V ~ 4 V
电路数 4
逻辑电平 - 高 3.5 V ~ 11 V
封装/外壳 14-DIP (0.300'. 7.62mm)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 19.5 x 6.48 x 3.2mm
身高 3.2mm
长度 19.5mm
逻辑系列 4000
最大高电平输出电流 -3.6mA
最大低电平输出电流 3.6mA
最高工作温度 +85 °C
最低工作温度 -40 °C
元件数 4
包装类型 PDIP
引脚数 14
传输延时测试条件 50pF
宽度 6.48mm
工厂包装数量 25
产品 NAND
产品种类 Logic Gates
输出线路数量 4
输入行数 8
高电平输出电流 - 3.6 mA
低电平输出电流 3.6 mA
安装风格 SMD/SMT
门数 4
的线路输入/输出数 8 / 4
传播延迟时间 45 ns
封装/外壳 SOT-27
电源电压 - 最大 15 V
电源电压 - 最小 3 V
零件号别名 HEF4011BPN
RoHS RoHS Compliant
技术 CMOS
逻辑功能 NAND
安装 Through Hole
工作温度范围 -40C to 125C
静态电流 1 uA
元件数 4
工作温度分类 Automotive
输出数 1
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3.3/5/9/12 V
工作电源电压(最小值) 3 V
工作电源电压(最大值) 15 V

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