NB3N200SDR2G产品详细规格

规格书	NB3N200S
比率 - 输入	1:1
类型	Buffer/Driver
安装类型	Surface Mount
差分 - 输入	Yes/Yes
输入	LVCMOS. LVDS
供应商设备封装	8-SOIC
封装	Tape & Reel (TR)
频率 - 最大	200MHz
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
标准包装	2.500
输出	LVCMOS. LVDS
工作温度	-40°C ~ 85°C
电路数	1
封装/外壳	8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width)
最高工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
传播延迟 - 最大	2.4 ns
电源电压 - 最大	3.6 V
最低工作温度	- 40 C
封装/外壳	SOIC-8
电源电压 - 最小	3 V
电源电流	22 mA
RoHS	RoHS Compliant
传输速率	25 MBps
差分输入高阈值电压	0.05 mV
功率耗散	725 W
安装	Surface Mount
差分输出电压	0.65 mV
工作温度范围	-40C to 85C
输出类型	Driver/Receiver
包装类型	SOIC N
引脚数	8
工作温度（最大）	85C
工作温度（最小值）	-40C
传播延迟时间	6 ns
元件数	1
输入类型	LVCMOS
驱动器数	1
接收器数	1
工作温度分类	Industrial
差异。	-0.05 mV
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V

商品标签