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TD62003APG(O.N)产品详细规格
规格书
TD62003/4APG/AFG
包装 16PDIP 配置 Array 7 类型 NPN 最大集电极发射极电压 50 V 峰值直流集电极电流 0.5 A 最小直流电流增益 1000@350mA@2V 最大集电极发射极饱和电压 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V 安装 Through Hole 标准包装 Trays 供应商封装形式 PDIP 标准包装名称 PDIP 欧盟RoHS指令 Not Compliant 最高工作温度 85 最大集电极发射极电压 50 最大集电极发射极饱和电压 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1... 每个芯片的元件数 7 最大功率耗散 1470 Maximum Continuous DC Collector Current 0.5 最低工作温度 -40 引脚数 16 铅形状 Through Hole 安装类型 Through Hole 的驱动器/接收器数 6/0 供应商设备封装 16-DIP 封装 Tube 工作温度 -40°C ~ 85°C 电压 - 电源 0 V ~ 50 V 封装/外壳 16-DIP (0.300'. 7.62mm) RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 工厂包装数量 25 产品种类 Transistors Darlington 晶体管极性 NPN 直流集电极/增益hfe最小值 1000 输出类型 TTL. CMOS 安装风格 Through Hole 功率耗散 0.76 W 最低工作温度 - 40 C 封装/外壳 DIP-16 最高工作温度 + 85 C RoHS RoHS Compliant 集电极电流(DC ) 0.5 A 集电极 - 发射极电压 50 V 集电极 - 发射极饱和电压 1.6 V 工作温度范围 -40C to 85C 包装类型 PDIP 极性 NPN 元件数 7 直流电流增益 1000 工作温度分类 Industrial 弧度硬化 No
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