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TD62003APG(O.N)
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TD62003APG(O.N)

  • 商品货号:TD62003APG(O.N)
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TD62003APG(O.N)产品详细规格

规格书 TD62003APG(O.N) datasheet 规格书
TD62003APG(O.N) datasheet 规格书
TD62003/4APG/AFG
TD62003APG(O.N) datasheet 规格书
包装 16PDIP
配置 Array 7
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 0.5 A
最小直流电流增益 1000@350mA@2V
最大集电极发射极饱和电压 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V
安装 Through Hole
标准包装 Trays
供应商封装形式 PDIP
标准包装名称 PDIP
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 85
最大集电极发射极电压 50
最大集电极发射极饱和电压 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1...
每个芯片的元件数 7
最大功率耗散 1470
Maximum Continuous DC Collector Current 0.5
最低工作温度 -40
引脚数 16
铅形状 Through Hole
安装类型 Through Hole
的驱动器/接收器数 6/0
供应商设备封装 16-DIP
封装 Tube
工作温度 -40°C ~ 85°C
电压 - 电源 0 V ~ 50 V
封装/外壳 16-DIP (0.300'. 7.62mm)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 25
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
直流集电极/增益hfe最小值 1000
输出类型 TTL. CMOS
安装风格 Through Hole
功率耗散 0.76 W
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 DIP-16
最高工作温度 + 85 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 0.5 A
集电极 - 发射极电压 50 V
集电极 - 发射极饱和电压 1.6 V
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 PDIP
极性 NPN
元件数 7
直流电流增益 1000
工作温度分类 Industrial
弧度硬化 No

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