ULN2004APG(C.N.HZN产品详细规格

规格书
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	500mA
晶体管类型	7 NPN Darlington
安装类型	Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	1.6V @ 500µA. 350mA
标准包装	25
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
供应商设备封装	16-DIP
封装	Tube
功率 - 最大	1.47W
封装/外壳	16-DIP (0.300'. 7.62mm)
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	1000 @ 350mA. 2V
安装风格	Through Hole
晶体管极性	NPN
直流集电极/增益hfe最小值	1000
集电极 - 发射极最大电压VCEO	1.6 V
功率耗散	1.47 W
输出类型	TTL. CMOS
最低工作温度	- 40 C
配置	Array
最高工作温度	+ 85 C
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	500 mA

商品标签