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NID5003NT4G
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NID5003NT4G

  • 商品货号:NID5003NT4G
  • 商品库存: 5000
  • 商品品牌:on semiconductor
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NID5003NT4G产品详细规格

规格书 NID5003NT4G datasheet 规格书
NID5003NT4G datasheet 规格书
NID5003N
NID5003NT4G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2.500
Low Side
Input 型 Non-Inverting
输出数 1
导通状态电阻 42 mOhm
电流 - 输出/通道 -
Current - Peak 输出功率 20A
- 电源电压 -
操作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3. DPak (2 Leads + Tab). SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 42 V
最大连续漏极电流 20 A
RDS -于 51@10V mOhm
最大门源电压 ±14 V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±14
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 51@10V
最大漏源电压 42
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 2300
最大连续漏极电流 20
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
输出数 1
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 DPAK-3
导通状态电阻 42 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 20A
封装/外壳 TO-252-3. DPak (2 Leads + Tab). SC-63
类型 Low Side
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NID5003NT4GOSCT
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 14 V
连续漏极电流 20 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 42 mOhms
功率耗散 2.3 W
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 42 V
RoHS RoHS Compliant
Continuous Drain Current Id :20A
Drain Source Voltage Vds :42V
On Resistance Rds(on) :42mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.7V
功耗 :2.3W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Avalanche Single Pulse Energy Eas :400mJ
Current Id Max :20A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
引脚配置 :1(G).2(D).3(S)
Shutdown Temperature :175°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :42V
Voltage Vgs Max :14VDC
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :2.2V
Voltage Vgs th Min :1V
Weight (kg) 0.0003
Tariff No. 85412900
associated RE901
FK 244 13 D PAK
FK 244 08 D PAK

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