NIF62514T1G产品详细规格

规格书	NIF62514
文档	Datasheet MSL Updated 2/April/2007
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Specification Change MSL Updated 2/April/2007
标准包装	1.000
型	Low Side
Input 型	Non-Inverting
输出数	1
导通状态电阻	90 mOhm
电流 - 输出/通道	-
Current - Peak 输出功率	6A
- 电源电压	-
操作温度	-55°C ~ 150°C
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-261-4. TO-261AA
供应商器件封装	SOT-223
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	4SOT-223
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	40 V
RDS -于	100@10V mOhm
最大门源电压	±16 V
典型导通延迟时间	4000 ns
典型上升时间	11000 ns
典型关闭延迟时间	32000 ns
典型下降时间	27000 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
供应商封装形式	SOT-223
标准包装名称	SOT-223
欧盟RoHS指令	Compliant
引脚数	4
铅形状	Gull-wing
输出数	1
安装类型	Surface Mount
供应商设备封装	SOT-223
封装	Tape & Reel (TR)
导通状态电阻	90 mOhm
输入类型	Non-Inverting
电流 - 峰值输出	6A
封装/外壳	TO-261-4. TO-261AA
类型	Low Side
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	NIF62514T1GOSCT
类别	Power MOSFET
渠道类型	N
配置	Dual Drain. Single
外形尺寸	6.5 x 3.5 x 1.57mm
身高	1.57mm
长度	6.5mm
最大连续漏极电流	6 A
最大漏源电阻	0.1 Ω
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	8.93 W
最低工作温度	-55 °C
每个芯片的元件数	1
包装类型	SOT-223
宽度	3.5mm
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 16 V
连续漏极电流	6 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	90 mOhms
功率耗散	8.93 W
上升时间	11 us
漏源击穿电压	40 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	27 us
Continuous Drain Current Id	:6A
Drain Source Voltage Vds	:40V
On Resistance Rds(on)	:100mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:1.7V
功耗	:8.93W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:SOT-223
No. of Pins	:3
MSL	:MSL 3 - 168 hours
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Avalanche Single Pulse Energy Eas	:300mJ
Clamping Voltage Vc Max	:40V
Current Id Max	:6A
工作温度范围	:-55°C to +150°C
引脚配置	:1(G).2(D).3(S). 4-TAB(D)
Shutdown Temperature	:175°C
端接类型	:SMD
Voltage Vds Typ	:40V
Voltage Vgs Max	:16VDC
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Voltage Vgs th Max	:2V
Voltage Vgs th Min	:1V
Weight (kg)	0.000124
Tariff No.	85412900
associated	RE901

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