| 规格书 |    |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 25 |
| 配置 | 3 Phase Bridge |
| Input 型 | Differential |
| 延迟时间 | 530ns |
| 电流 - 峰值 | 200mA |
| 配置数 | 1 |
| 输出数 | 3 |
| 高压侧电压 - 马克斯(引导) | 600V |
| - 电源电压 | 11.5 V ~ 20 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 28-SOIC (0.295. 7.50mm Width) |
| 供应商器件封装 | 28-SOIC W |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 28SOIC W |
| 驱动器类型 | High and Low Side |
| 驱动程序配置 | Non-Inverting |
| 输出数 | 6 |
| 最大工作电源电压 | 20 V |
| 最低工作电源电压 | 11.5 V |
| 峰值输出电流 | 0.35(Typ) A |
| 最大功率耗散 | 1600 mW |
| 输入逻辑相容性 | CMOS|TTL |
| 最大上升时间 | 190 ns |
| 最大下降时间 | 75 ns |
| 工作温度 | -40 to 125 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 包装宽度 | 7.6(Max) |
| PCB | 28 |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 桥型 | 3-Phase Bridge |
| 最大下降时间 | 75 |
| 峰值输出电流 | 0.35(Typ) |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | SOIC W |
| 标准包装名称 | SOIC W |
| 最高工作温度 | 125 |
| 包装长度 | 18.1(Max) |
| 最低工作电源电压 | 11.5 |
| 引脚数 | 28 |
| 最大传播延迟时间 | 750 |
| 包装高度 | 2.35(Max) |
| 驱动器数 | 6 |
| 封装 | Tube |
| 最大工作电源电压 | 20 |
| 最大上升时间 | 190 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置数 | 1 |
| 供应商设备封装 | 28-SOIC W |
| 电压 - 电源 | 11.5 V ~ 20 V |
| 输入类型 | Non-Inverting |
| 高端电压 - 最大值(自启动) | 600V |
| 封装/外壳 | 28-SOIC (0.295'. 7.50mm Width) |
| 配置 | 3 Phase Bridge |
| 电流 - 峰值 | 200mA |
| 延迟时间 | 530ns |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 18.1 x 7.6 x 2.35mm |
| 身高 | 2.35mm |
| 高侧和低侧依赖 | Synchronous |
| 长度 | 18.1mm |
| 最高工作温度 | +125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 包装类型 | SOIC W |
| 宽度 | 7.6mm |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 类型 | High Voltage 3 Phase Gate Driver |
| 最大关闭延迟时间 | 750 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 最大开启延迟时间 | 750 ns |
| 电源电压 - 最大 | 20 V |
| 电源电压 - 最小 | 10 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输出电流 | 200 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 输出电压 | 10 V to 20 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 电源电流 | 200 mA |
| 输入逻辑电平 | CMOS/TTL |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 工作温度范围 | -40C to 125C |
| 启动时间(最大值) | 0.75 us |
| 传播延迟时间 | 750 ns |
| 工作温度分类 | Automotive |
| 关断延迟时间 | 0.00075 ms |
| 弧度硬化 | No |
| 工作电源电压(最小值) | 11.5 V |
| 工作电源电压(最大值) | 20 V |