IRS21171SPBF产品详细规格

规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	95
配置	High-Side
Input 型	Non-Inverting
延迟时间	160ns
电流 - 峰值	290mA
配置数	1
输出数	1
高压侧电压 - 马克斯（引导）	600V
- 电源电压	10 V ~ 20 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154. 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOIC
包装材料	Tube
包装	8SOIC
驱动器类型	High Side
驱动程序配置	Non-Inverting
输出数	1
最大工作电源电压	20 V
最低工作电源电压	10 V
最大功率耗散	625 mW
输入逻辑相容性	CMOS
最大上升时间	130 ns
最大下降时间	65 ns
工作温度	-40 to 125 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Rail / Tube
包装宽度	4(Max)
PCB	8
最大功率耗散	625
欧盟RoHS指令	Compliant
桥型	Half Bridge
最大下降时间	65
最低工作温度	-40
供应商封装形式	SOIC
标准包装名称	SOIC
最高工作温度	125
包装长度	5(Max)
最低工作电源电压	10
引脚数	8
最大传播延迟时间	230
包装高度	1.5(Max)
驱动器数	1
封装	Tube
最大工作电源电压	20
最大上升时间	130
铅形状	Gull-wing
安装类型	Surface Mount
配置数	1
供应商设备封装	8-SOIC
电压 - 电源	10 V ~ 20 V
输入类型	Non-Inverting
高端电压 - 最大值（自启动）	600V
封装/外壳	8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width)
配置	High-Side
电流 - 峰值	290mA
延迟时间	160ns
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸	5 x 4 x 1.5mm
身高	1.5mm
长度	5mm
最高工作温度	+125 °C
最低工作温度	-40 °C
包装类型	SOIC
峰值输出电流	0.3A
宽度	4mm
工厂包装数量	95
产品	MOSFET Gate Drivers
上升时间	130 ns
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	20 V
RoHS	RoHS Compliant
电源电压 - 最小	10 V
类型	High Side
下降时间	65 ns
输入逻辑电平	CMOS
功率耗散	0.625 W
工作温度范围	-40C to 125C
传播延迟时间	230 ns
工作温度分类	Automotive
弧度硬化	No
工作电源电压（最小值）	10 V
工作电源电压（最大值）	20 V
设备类型	:IGBT. MOSFET
Module Configuration	:High Side
Supply Voltage Min	:10V
Supply Voltage Max	:20V
Driver Case Style	:SOIC
No. of Pins	:8
Input Delay	:160ns
Output Delay	:160ns
Operating Temperature Min	:-40°C
Operating Temperature Max	:125°C
MSL	:MSL 2 - 1 year
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Base Number	:21171
工作温度范围	:-40°C to +125°C
Supply Voltage Range	:10V to 20V
Weight (kg)	0.000033
Tariff No.	85423990
associated	698840 923650-08 AUIRF7805Q FK 244 13 D2 PAK 652B0082215-002

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