IRS2118SPBF产品详细规格

规格书	IRS211 (7.71.8) (S) PbF
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	95
配置	High-Side
Input 型	Inverting
延迟时间	125ns
电流 - 峰值	290mA
配置数	1
输出数	1
高压侧电压 - 马克斯（引导）	600V
- 电源电压	10 V ~ 20 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154. 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOIC
包装材料	Tube
包装	8SOIC
驱动器类型	High Side|Low Side
驱动程序配置	Inverting
输出数	1
最大工作电源电压	20 V
最低工作电源电压	10 V
峰值输出电流	0.6(Typ) A
最大功率耗散	625 mW
输入逻辑相容性	CMOS
最大上升时间	130 ns
最大下降时间	65 ns
最大电源电流	0.34 mA
工作温度	-40 to 125 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Rail / Tube
安装类型	Surface Mount
配置数	1
供应商设备封装	8-SOIC
封装	Tube
电压 - 电源	10 V ~ 20 V
输入类型	Inverting
高端电压 - 最大值（自启动）	600V
封装/外壳	8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width)
配置	High-Side
电流 - 峰值	290mA
延迟时间	125ns
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸	5 x 4 x 1.5mm
身高	1.5mm
长度	5mm
最高工作温度	+125 °C
最低工作温度	-40 °C
驱动器数	1
包装类型	SOIC
引脚数	8
宽度	4mm
工厂包装数量	95
类型	High Side/Low Side
最大关闭延迟时间	105 ns
下降时间	65 ns
产品	MOSFET Gate Drivers
最大开启延迟时间	125 ns
电源电压 - 最大	20 V
电源电压 - 最小	10 V
RoHS	RoHS Compliant
输出电流	290 mA
安装风格	SMD/SMT
输出电压	10 V to 20 V
上升时间	130 ns
电源电流	0.34 mA
输入逻辑电平	CMOS
功率耗散	0.625 W
工作温度范围	-40C to 125C
传播延迟时间	200 ns
工作温度分类	Automotive
弧度硬化	No
工作电源电压（最小值）	10 V
工作电源电压（最大值）	20 V
设备类型	:IGBT. MOSFET
Module Configuration	:High Side
Supply Voltage Min	:10V
Supply Voltage Max	:20V
Driver Case Style	:SOIC
No. of Pins	:8
Input Delay	:125ns
Output Delay	:105ns
Operating Temperature Min	:-40°C
Operating Temperature Max	:125°C
MSL	:MSL 2 - 1 year
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Base Number	:2118
No. of Outputs	:1
工作温度范围	:-40°C to +125°C
Output Source Current Max	:290mA
Supply Voltage Range	:10V to 20V
端接类型	:SMD
Weight (kg)	0.001
Tariff No.	85423190
associated	RE932-01 ICK SMD A 10 SA 631954 IRS2118SPBF

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