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MCP14E9-E/P
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MCP14E9-E/P

  • 商品货号:MCP14E9-E/P
  • 商品库存: 50
  • 商品品牌:microchip
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MCP14E9-E/P产品详细规格

规格书 MCP14E9-E/P datasheet 规格书
MCP14E9-E/P datasheet 规格书
MCP14E9.10.11
MCP14E9-E/P datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 60
配置 Low-Side
Input 型 Inverting
延迟时间 45ns
电流 - 峰值 3A
配置数 2
输出数 2
高压侧电压 - 马克斯(引导) -
- 电源电压 4.5 V ~ 18 V
操作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 Through Hole
包/盒 8-DIP (0.300. 7.62mm)
供应商器件封装 8-PDIP
包装材料 Tube
包装 8PDIP
驱动器类型 Low Side
驱动程序配置 Inverting
输出数 2
最大工作电源电压 18 V
最低工作电源电压 4.5 V
峰值输出电流 3(Typ) A
输出电阻 4|4 Ohm
最大功率耗散 1120 mW
输入逻辑相容性 CMOS|TTL|3V to 18V
最大上升时间 30 ns
最大电源电流 1.8 mA
工作温度 -40 to 125 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
单位包 60
最小起订量 300
安装类型 Through Hole
配置数 2
供应商设备封装 8-PDIP
电流 - 峰值 3A
封装 Tube
电压 - 电源 4.5 V ~ 18 V
输入类型 Inverting
封装/外壳 8-DIP (0.300'. 7.62mm)
配置 Low-Side
其他名称 MCP14E9EP
延迟时间 45ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 0.4 x 0.28 x 0.195in
身高 0.195in
长度 0.4in
最高工作温度 +125 °C
最低工作温度 -40 °C
驱动器数 2
包装类型 PDIP
引脚数 8
宽度 0.28in
安装风格 Through Hole
产品 MOSFET Gate Drivers
输出电流 3 A
下降时间 17 ns
类型 Dual High Speed Power MOSFET Driver
电源电压 - 最大 18 V
电源电流 1800 uA
电源电压 - 最小 4.5 V
上升时间 14 ns
RoHS RoHS Compliant
设备类型 :MOSFET
Module Configuration :Low Side
Supply Voltage Min :4.5V
Supply Voltage Max :18V
Driver Case Style :DIP
No. of Pins :8
Input Delay :75ns
Output Delay :75ns
MSL :-
Weight (kg) 0
Tariff No. 00000000
associated HT4241007
SOIC8EV
MC-2227-08-03-F1
1-1825093-2
AUIRFZ48ZS
AC164301
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