HI5860IBZ-T产品详细规格

规格书	HI5860
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
沉降时间	35ns
一次读取的位数	12
数据接口	Parallel
数字转换器	1
电源电压源	Analog and Digital
功耗（最大）	200mW
操作温度	-40°C ~ 85°C
安装类型	Surface Mount
包/盒	28-SOIC (0.295. 7.50mm Width)
供应商器件封装	28-SOIC W
包装材料	Tape & Reel (TR)
Number of Outputs and 型	2 Current. Unipolar
采样率（每秒）	130M
包装	28SOIC W
分辨率	12 Bit
转换速率	130 Msps
建筑	Segment
数字接口类型	Parallel
每个芯片的输出端数量	1
输出类型	Current
满量程误差	±10 %FSR
积分非线性误差	±2 LSB
最大建立时间	0.035(Typ) us
工作温度	-40 to 85 °C
标准包装	Tape & Reel
单位包	1000
最小起订量	1000
位数	12
输出数目和类型	2 Current. Unipolar
安装类型	Surface Mount
建立时间	35ns
数据接口	Parallel
采样率（每秒）	130M
转换器数量	1
供应商设备封装	28-SOIC W
电压电源	Analog and Digital
封装	Tape & Reel (TR)
其他名称	HI5860IBZ-TTR
封装/外壳	28-SOIC (0.295'. 7.50mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
参考电压	Internal. External
积分非线性	+/- 2 LSB
电源电压 - 最大	5.5 V
最低工作温度	- 40 C
封装/外壳	SOIC-28 Wide
电源电压 - 最小	2.7 V
最高工作温度	+ 85 C
DAC输出端数量	1
RoHS	RoHS Compliant
接口类型	Parallel

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