TLE2161AIDRG4产品详细规格

规格书	TLE2161. TLE2161A. TLE2161B
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2.500
Amplifier 型	J-FET
数字电路	1
Output 型	-
转换率	10 V/µs
增益带宽积	6.4MHz
-3db带宽	-
电流 - 输入偏压	4pA
- 输入电压偏移	500µV
电流 - 电源	290µA
电流 - 输出/通道	80mA
None	±3.5 V ~ 18 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154. 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOIC
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8SOIC
每个芯片的通道数	1
类型	General Purpose Amplifier
典型增益带宽积	5.8 MHz
典型的转换率	10@±5V V/us
最大电源电流	0.325@±5V mA
最大输入失调电压	2.6@±5V mV
最大输入偏置电流	0.000003(Typ)@±5V uA
典型输入噪声电压密度	59@±5V nV/rtHz
最低CMRR	65 dB
最小双电源电压	±3.5 V
安装	Surface Mount
工作温度	-40 to 85 °C
典型的同相输入噪声电流密度	0.001@±5V pA/rtHz
典型电压增益	98.06 dB
标准包装	Tape & Reel
制造商类型	Wideband Amplifier
轨至轨	No
包装宽度	4(Max)
PCB	8
最大功率耗散	725
最大双电源电压	±18
最大输入偏置电流	0.000003(Typ)@±5V
欧盟RoHS指令	Compliant
最大电源电流	0.325@±5V
典型增益带宽积	5.8
典型电压增益	98.06
电源类型	Dual
最低CMRR	65
最低工作温度	-40
供应商封装形式	SOIC
标准包装名称	SOIC
最高工作温度	85
最小双电源电压	±3.5
典型双电源电压	±5|±9|±12|±15
关机支持	No
包装长度	5(Max)
引脚数	8
Maximum Input Offset Current	0.000001(Typ)@±5V
最大输入失调电压	2.6@±5V
包装高度	1.5(Max)
封装	Tape and Reel
典型的转换率	10@±5V
技术	BiFET
铅形状	Gull-wing
电流 - 输出/通道	80mA
放大器类型	J-FET
安装类型	Surface Mount
供应商设备封装	8-SOIC
电流 - 电源	290µA
Voltage - Supply. Single/Dual (±)	±3.5 V ~ 18 V
封装/外壳	8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width)
压摆率	10 V/µs
电流 - 输入偏压	4pA
电压 - 输入偏移	500µV
电路数	1
增益带宽积	6.4MHz
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	2500
电源电流	0.035 mA
工作电源电压	7 V to 36 V. +/- 3.5 V to +/- 18 V
产品种类	Operational Amplifiers - Op Amps
共模抑制比 - 闵	65 dB
单位重量	0.002561 oz
通道数	1 Channel
最高工作温度	+ 85 C
输入偏置电流 - 最大	2 nA
关机	No Shutdown
最大双电源电压	+/- 18 V
RoHS	RoHS Compliant
系列	TLE2161A
安装风格	SMD/SMT
输入失调电压	2.6 mV
最低工作温度	- 40 C
功率耗散	0.725 W
工作温度范围	-40C to 85C
包装类型	SOIC
元件数	1
共模抑制比	65 dB
工作温度分类	Industrial
Dual Supply Voltage (Typ)	�5/�9/�12/�15 V
输入偏置电流	0.003 nA
电源要求	Dual
Dual Supply Voltage (Min)	�3.5 V
铁/铁I / O类型	No
关机功能	No
弧度硬化	No
单电源电压（最小值）	Not Required V
单电源电压（最大值）	Not Required V
单电源电压（典型值）	Not Required V
Dual Supply Voltage (Max)	�18 V
电压增益（dB）	98.06 dB
单位增益带宽积	5.8MHz

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