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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1.000 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| 内存大小 | 1M (64K x 16) |
| 速度 | 35ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 3 V ~ 3.6 V |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 包/盒 | 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width) |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 标准包装 | 1.000 |
| 供应商设备封装 | 44-TSOP II |
| 内存类型 | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 存储容量 | 1M (64K x 16) |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 封装/外壳 | 44-TSOP (0.400'. 10.16mm Width) |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 35ns |
MR0A16AYS35R产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1.000 格式 - 记忆 RAM Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM) 内存大小 1M (64K x 16) 速度 35ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width) 供应商器件封装 44-TSOP II 包装材料 Tape & Reel (TR) 封装 Tape & Reel (TR) 格式 - 存储器 RAM 标准包装 1.000 供应商设备封装 44-TSOP II 内存类型 MRAM (Magnetoresistive RAM) 工作温度 0°C ~ 70°C 存储容量 1M (64K x 16) 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 封装/外壳 44-TSOP (0.400'. 10.16mm Width) 接口 Parallel 速度 35ns
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