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HYB18T512800BF-3.7产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 1

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 DDR2 SDRAM

内存大小 512M (64M x 8)

速度 266MHz

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 1.7 V ~ 1.9 V

操作温度 0°C ~ 95°C

包/盒 60-TFBGA

供应商器件封装 60-TFBGA (10.5x10)

包装材料 Cut Tape (CT)

封装 Cut Tape (CT)

格式 - 存储器 RAM

标准包装 1

供应商设备封装 60-TFBGA (10.5x10)

内存类型 DDR2 SDRAM

工作温度 0°C ~ 95°C

存储容量 512M (64M x 8)

电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V

封装/外壳 60-TFBGA

接口 Parallel

速度 266MHz

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HYB18T512800BF-3.7

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王工

伍工

罗工

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	DDR2 SDRAM
内存大小	512M (64M x 8)
速度	266MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	1.7 V ~ 1.9 V
操作温度	0°C ~ 95°C
包/盒	60-TFBGA
供应商器件封装	60-TFBGA (10.5x10)
包装材料	Cut Tape (CT)
封装	Cut Tape (CT)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1
供应商设备封装	60-TFBGA (10.5x10)
内存类型	DDR2 SDRAM
工作温度	0°C ~ 95°C
存储容量	512M (64M x 8)
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.9 V
封装/外壳	60-TFBGA
接口	Parallel
速度	266MHz