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HYB25D512800CE-5产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1.500 格式 - 记忆 RAM Memory 型 DDR SDRAM 内存大小 512M (64M x 8) 速度 200MHz 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 2.3 V ~ 2.7 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 66-TSSOP (0.400. 10.16mm Width) 供应商器件封装 66-TSOP II 包装材料 Tape & Reel (TR) 封装 Tape & Reel (TR) 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 66-TSOP II 内存类型 DDR SDRAM 工作温度 0°C ~ 70°C 存储容量 512M (64M x 8) 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V 标准包装 1.500 接口 Parallel 速度 200MHz 其他名称 675-1009-2 封装/外壳 66-TSSOP (0.400'. 10.16mm Width) RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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