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MXD1210CWE-T产品详细规格
规格书
MXD1210
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1.000 Controller 型 Nonvolatile RAM - 电源电压 4.75 V ~ 5.5 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 16-SOIC (0.295. 7.50mm Width) 供应商器件封装 16-SOIC W 包装材料 Tape & Reel (TR) 包装 16SOIC W 工作温度 0 to 70 °C 标准包装 Tape & Reel 系列 MXD1210 供应商设备封装 16-SOIC W 封装 Tape & Reel (TR) 电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V 封装/外壳 16-SOIC (0.295'. 7.50mm Width) 控制器类型 Nonvolatile RAM RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 描述/功能 Converting CMOS RAM into nonvolatile memory 锂电池显示器 No 安装风格 SMD/SMT 电池备用开关 Yes 电源电压 - 最大 5.5 V 内存类型 Nonvolatile RAM - NVRAM 最低工作温度 0 C 电源电压 - 最小 4.75 V 最高工作温度 + 70 C 类型 Non-Volatile RAM (NVRAM) 零件号别名 MXD1210 RoHS RoHS Compliant 工作电流 0.23 mA
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