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MXD1210ESA产品详细规格
规格书
MXD1210
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 100 Controller 型 Nonvolatile RAM - 电源电压 4.75 V ~ 5.5 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 8-SOIC (0.154. 3.90mm Width) 供应商器件封装 8-SOIC 包装材料 Tube 包装 8SOIC N 工作温度 -40 to 85 °C 标准包装 Bulk 标准包装 Rail / Tube 系列 MXD1210 供应商设备封装 8-SOIC N 封装 Tube 电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V 封装/外壳 8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width) 控制器类型 Nonvolatile RAM RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 描述/功能 Converting CMOS RAM into nonvolatile memory 锂电池显示器 No 安装风格 SMD/SMT 电池备用开关 Yes 电源电压 - 最大 5.5 V 内存类型 Nonvolatile RAM - NVRAM 最低工作温度 - 40 C 电源电压 - 最小 4.75 V 最高工作温度 + 85 C 类型 Non-Volatile RAM (NVRAM) RoHS RoHS Compliant 工作电流 0.23 mA
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