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DS2030W-100#产品详细规格
规格书
DS2030W
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 256K (32K x 8) 速度 100ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 256-BBGA 供应商器件封装 256-BGA (27x27) 包装材料 Tray 包装 256BGA 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 256 Kb 组织 32Kx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 3.3 V 工作温度 -40 to 85 °C 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 1 供应商设备封装 256-BGA (27x27) 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 存储容量 256K (32K x 8) 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 封装/外壳 256-BGA 接口 Parallel 速度 100ns RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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