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| 规格书 |  DS3070W |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 18 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小 | 16M (2M x 8) |
| 速度 | 100ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 3 V ~ 3.6 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 256-BBGA |
| 供应商器件封装 | 256-BGA (27x27) |
| 包装材料 | Tray |
| 电源电压 - 最大 | 3.6 V |
| 电源电压 - 最小 | 3 V |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | BGA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 零件号别名 | 90-3070W#100 |
| 寿命 | Obsolete |
| 封装 | Tray |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 标准包装 | 18 |
| 供应商设备封装 | 256-BGA (27x27) |
| 内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 存储容量 | 16M (2M x 8) |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 100ns |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
DS3070W-100#产品详细规格
规格书
DS3070W
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 18 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 16M (2M x 8) 速度 100ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 256-BBGA 供应商器件封装 256-BGA (27x27) 包装材料 Tray 电源电压 - 最大 3.6 V 电源电压 - 最小 3 V 最高工作温度 + 85 C 最低工作温度 - 40 C 封装/外壳 BGA 安装风格 SMD/SMT 零件号别名 90-3070W#100 寿命 Obsolete 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 18 供应商设备封装 256-BGA (27x27) 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 16M (2M x 8) 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 接口 Parallel 速度 100ns RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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