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DS1350BL-100产品详细规格

Rohs Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装 1

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

内存大小 4M (512K x 8)

速度 100ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 4.75 V ~ 5.25 V

操作温度 0°C ~ 70°C

包/盒 34-LPM

供应商器件封装 34-LPM

包装材料 Tube

封装 Tube

格式 - 存储器 RAM

标准包装 1

供应商设备封装 34-LPM

内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

工作温度 0°C ~ 70°C

存储容量 4M (512K x 8)

电压 - 电源 4.75 V ~ 5.25 V

封装/外壳 34-LPM

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DS1350BL-100

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DS1350BL-100产品详细规格

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王工

伍工

罗工

Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	4M (512K x 8)
速度	100ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.75 V ~ 5.25 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	34-LPM
供应商器件封装	34-LPM
包装材料	Tube
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1
供应商设备封装	34-LPM
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	4M (512K x 8)
电压 - 电源	4.75 V ~ 5.25 V
封装/外壳	34-LPM
接口	Parallel
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