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DS2050W-100#产品详细规格

规格书
 DS2050W

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 1

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

内存大小 4M (512K x 8)

速度 100ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 3 V ~ 3.6 V

操作温度 -40°C ~ 85°C

包/盒 256-BBGA

供应商器件封装 256-BGA (27x27)

包装材料 Tray

封装 Tray

格式 - 存储器 RAM

标准包装 1

供应商设备封装 256-BGA (27x27)

内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

工作温度 -40°C ~ 85°C

存储容量 4M (512K x 8)

电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V

封装/外壳 256-BGA

接口 Parallel

速度 100ns

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内存

嵌入式

接口

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电源管理芯片

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DS2050W-100#

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王工

伍工

罗工

规格书	DS2050W
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	4M (512K x 8)
速度	100ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	256-BBGA
供应商器件封装	256-BGA (27x27)
包装材料	Tray
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1
供应商设备封装	256-BGA (27x27)
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	4M (512K x 8)
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
封装/外壳	256-BGA
接口	Parallel
速度	100ns