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DS1220Y-200IND+产品详细规格
规格书
DS1220Y
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 14 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 16K (2K x 8) 速度 200ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 24-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 24-EDIP 包装材料 Tube 包装 24EDIP 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 16 Kb 组织 2Kx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 5 V 工作温度 -40 to 85 °C 标准包装 Rail / Tube 封装 Tube 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 24-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 存储容量 16K (2K x 8) 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳 24-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 接口 Parallel 速度 200ns RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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