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DS2227-120产品详细规格

规格书
 DS2227

Rohs Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装 1

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

内存大小 4M (128K x 32. 256K x 16. 512K x 8)

速度 120ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V

操作温度 0°C ~ 70°C

包/盒 72-SIMM

供应商器件封装 72-SIMM

包装材料 Tray

封装 Tray

格式 - 存储器 RAM

标准包装 1

供应商设备封装 72-SIMM

内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

工作温度 0°C ~ 70°C

存储容量 4M (128K x 32. 256K x 16. 512K x 8)

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

封装/外壳 72-SIMM

接口 Parallel

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内存

嵌入式

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DS2227-120

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王工

伍工

罗工

规格书	DS2227
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	4M (128K x 32. 256K x 16. 512K x 8)
速度	120ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.5 V ~ 5.5 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	72-SIMM
供应商器件封装	72-SIMM
包装材料	Tray
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1
供应商设备封装	72-SIMM
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	4M (128K x 32. 256K x 16. 512K x 8)
电压 - 电源	4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳	72-SIMM
接口	Parallel
速度	120ns