DS1230AB-200IND+产品详细规格

规格书	DS1230Y. AB
文档	Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	12
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	256K (32K x 8)
速度	200ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.75 V ~ 5.25 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	28-DIP Module (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装	28-EDIP
包装材料	Tube
包装	28EDIP
类型	NVSRAM
总线类型	Parallel
密度	256 Kb
组织	32Kx8
数据总线宽度	8 Bit
工作电源电压	5 V
工作温度	-40 to 85 °C
标准包装	Rail / Tube
RoHS	No
存储容量	256 Kbit
接口类型	Parallel
访问时间	200 ns
电源电压 - 最大	5.25 V
电源电压 - 最小	4.75 V
工作电流	85 mA
最高工作温度	+ 85 C
最低工作温度	- 40 C
封装/外壳	EDIP
封装	Bulk
安装风格	Through Hole
零件号别名	90-1230A-B0I
寿命	Obsolete
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	28-EDIP
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 电源	4.75 V ~ 5.25 V
接口	Parallel
速度	200ns
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	12
系列	DS1230AB

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