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DS1270W-100#产品详细规格
规格书
DS1265W
DS1270W
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 9 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 16M (2M x 8) 速度 100ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 36-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 36-EDIP 包装材料 Box 包装 36EDIP 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 16 Mb 组织 2Mx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 3.3 V 工作温度 0 to 70 °C 标准包装 Rail / Tube 封装 Tube 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 36-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 存储容量 16M (2M x 8) 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 封装/外壳 36-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 接口 Parallel 速度 100ns RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 系列 DS1270W RoHS RoHS Compliant By Exemption
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