DS1265AB-70IND+产品详细规格

规格书	DS1265Y. AB DS1265AB-DS1265Y
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	9
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	8M (1M x 8)
速度	70ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.75 V ~ 5.25 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	36-DIP Module (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装	36-EDIP
包装材料	Box
包装	36EDIP
类型	NVSRAM
总线类型	Parallel
密度	8 Mb
组织	1Mx8
数据总线宽度	8 Bit
工作电源电压	5 V
工作温度	-40 to 85 °C
标准包装	Rail / Tube
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	36-EDIP
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量	8M (1M x 8)
电压 - 电源	4.75 V ~ 5.25 V
封装/外壳	36-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
接口	Parallel
速度	70ns
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
系列	DS1265AB
RoHS	RoHS Compliant
安装风格	Through Hole
电源电压 - 最大	5.25 V
接口类型	Parallel
最低工作温度	- 40 C
电源电压 - 最小	4.75 V
最高工作温度	+ 85 C
零件号别名	DS1265AB
访问时间	70 ns
工作电流	85 mA

商品标签