DS1230Y-100+产品详细规格

规格书	DS1230Y. AB
文档	Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	12
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	256K (32K x 8)
速度	100ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.5 V ~ 5.5 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	28-DIP Module (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装	28-EDIP
包装材料	Tube
包装	28EDIP
类型	NVSRAM
总线类型	Parallel
密度	256 Kb
组织	32Kx8
数据总线宽度	8 Bit
工作电源电压	5 V
工作温度	0 to 70 °C
标准包装	Rail / Tube
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	28-EDIP
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量	256K (32K x 8)
电压 - 电源	4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳	28-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
接口	Parallel
速度	100ns
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
其他名称	DS1230Y100
封装/外壳	28-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
地址总线宽度	15bit
外形尺寸	39.37 x 18.8 x 9.35mm
身高	9.35mm
长度	39.37mm
低功耗	Yes
最大工作电源电压	5.5 V
最高工作温度	+85 °C
最大随机存取时间	100ns
最低工作电源电压	4.5 V
最低工作温度	-40 °C
安装类型	Through Hole
每字位数	8bit
字数	32K
组织	32K x 8 bit
包装类型	EDIP
引脚数	28
定时类型	Asynchronous
宽度	18.8mm
系列	DS1230Y
RoHS	RoHS Compliant
安装风格	Through Hole
电源电压 - 最大	5.5 V
接口类型	Parallel
电源电压 - 最小	4.5 V
访问时间	100 ns
工作电流	85 mA
Memory Configuration	:32K x 8bit
NVRAM Features	:Internal Battery
Supply Voltage Min	:4.5V
Supply Voltage Max	:5.5V
Memory Case Style	:DIP
No. of Pins	:28
IC Interface Type	:Parallel
Operating Temperature Min	:-40°C
Operating Temperature Max	:85°C
MSL	:-
SVHC	:1.2-dimethoxyethane. ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (20-Jun-2013)
Base Number	:1230
IC Generic Number	:1230
IC Temperature Range	:Industrial
Memory Voltage Vcc	:5V
工作温度范围	:-40°C to +85°C
Supply Voltage Range	:4.5V to 5.5V
端接类型	:Through Hole
Weight (kg)	0.006669
Tariff No.	85423245
associated	LEAPER-48 DIL 28 SMD M DATAMAN 48PRO+

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