DS1230Y-120+产品详细规格

规格书
文档	Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	12
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	256K (32K x 8)
速度	120ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.5 V ~ 5.5 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	28-DIP Module (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装	28-EDIP
包装材料	Tube
包装	28EDIP
类型	NVSRAM
总线类型	Parallel
密度	256 Kb
组织	32Kx8
数据总线宽度	8 Bit
工作电源电压	5 V
工作温度	0 to 70 °C
标准包装	Rail / Tube
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	28-EDIP
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量	256K (32K x 8)
电压 - 电源	4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳	28-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
接口	Parallel
速度	120ns
其他名称	DS1230Y120
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
封装/外壳	28-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
外形尺寸	39.12 x 18.8 x 9.4mm
身高	9.4mm
接口类型	Parallel
长度	39.12mm
最大工作电源电压	5.5 V
最高工作温度	+70 °C
最大随机存取时间	120ns
最低工作电源电压	4.5 V
最低工作温度	0 °C
安装类型	Through Hole
组织	32K x 8 bit
包装类型	EDIP
引脚数	28
宽度	18.8mm
系列	DS1230Y
RoHS	RoHS Compliant
安装风格	Through Hole
电源电压 - 最大	5.5 V
电源电压 - 最小	4.5 V
访问时间	120 ns
工作电流	85 mA

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