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DS1245W-100+产品详细规格
规格书
DS1245W
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 11 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 1M (128K x 8) 速度 100ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 32-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 32-EDIP 包装材料 Tube 包装 32EDIP 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 1 Mb 组织 128Kx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 3.3 V 工作温度 0 to 70 °C 标准包装 Rail / Tube 存储容量 1 Mbit 接口类型 Parallel 访问时间 100 ns 电源电压 - 最大 3.6 V 电源电压 - 最小 3 V 工作电流 50 mA 最高工作温度 + 85 C 最低工作温度 - 40 C 封装/外壳 EDIP 封装 Bulk 安装风格 Through Hole 零件号别名 90-1245W-100 寿命 Obsolete 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 32-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 接口 Parallel 速度 100ns RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant 其他名称 DS1245W100 封装/外壳 32-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 系列 DS1245W RoHS RoHS Compliant
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