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DS1230Y-85+
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DS1230Y-85+

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DS1230Y-85+产品详细规格

规格书 DS1230Y-85+ datasheet 规格书
DS1230Y-85+ datasheet 规格书
DS1230Y. AB
文档 Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems
Rohs -
标准包装 12
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小 256K (32K x 8)
速度 85ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 28-DIP Module (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装 28-EDIP
包装材料 Tube
包装 28EDIP
类型 NVSRAM
总线类型 Parallel
密度 256 Kb
组织 32Kx8
数据总线宽度 8 Bit
工作电源电压 5 V
工作温度 0 to 70 °C
标准包装 Rail / Tube
封装 Tube
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 28-EDIP
内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量 256K (32K x 8)
电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳 28-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
接口 Parallel
速度 85ns
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
封装/外壳 28-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
系列 DS1230Y
RoHS RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
电源电压 - 最大 5.5 V
接口类型 Parallel
最低工作温度 0 C
电源电压 - 最小 4.5 V
最高工作温度 + 70 C
访问时间 85 ns
工作电流 85 mA

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