深圳市宝安区西乡街道固戍下围园路口文浩商务大厦A座405室 Tel: 0755-23316215
DS1225AD-200+产品详细规格
规格书
DS1225AB. AD
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 12 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 64K (8K x 8) 速度 200ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 28-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 28-EDIP 包装材料 Tube 包装 28EDIP 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 64 Kb 组织 8Kx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 5 V 工作温度 0 to 70 °C 标准包装 Rail / Tube 封装 Tube 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 28-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 存储容量 64K (8K x 8) 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳 28-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 接口 Parallel 速度 200ns 其他名称 DS1225AD200 RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant 封装/外壳 28-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 地址总线宽度 13bit 外形尺寸 39.37 x 18.8 x 9.35mm 身高 9.35mm 长度 39.37mm 低功耗 Yes 最大工作电源电压 5.5 V 最高工作温度 +70 °C 最大随机存取时间 200ns 最低工作电源电压 4.5 V 最低工作温度 0 °C 安装类型 Through Hole 每字位数 8bit 字数 8K 组织 8K x 8 bit 包装类型 EDIP 引脚数 28 定时类型 Asynchronous 宽度 18.8mm 系列 DS1225AD RoHS RoHS Compliant 安装风格 Through Hole 电源电压 - 最大 5.5 V 接口类型 Parallel 电源电压 - 最小 4.5 V 访问时间 200 ns 工作电流 75 mA
商品标签