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DS1249Y-100#产品详细规格
规格书
DS1249AB-DS1249Y
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 11 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 2M (256K x 8) 速度 100ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 32-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 32-EDIP 包装材料 Tube 包装 32EDIP 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 2 Mb 组织 256Kx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 5 V 工作温度 0 to 70 °C 标准包装 Rail / Tube 封装 Tube 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 32-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 存储容量 2M (256K x 8) 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳 32-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 接口 Parallel 速度 100ns RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant 其他名称 DS1249Y100 封装/外壳 32-DIP Module (0.600'. 15.24mm) 系列 DS1249Y RoHS RoHS Compliant By Exemption 安装风格 Through Hole 电源电压 - 最大 5.5 V 接口类型 Parallel 最低工作温度 0 C 电源电压 - 最小 4.5 V 最高工作温度 + 70 C 零件号别名 DS1249Y 访问时间 100 ns 工作电流 85 mA
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