DS1249Y-85IND#

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规格书

DS1249AB-DS1249Y

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 11

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

内存大小 2M (256K x 8)

速度 85ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V

操作温度 -40°C ~ 85°C

包/盒 32-DIP Module (0.600. 15.24mm)

供应商器件封装 32-EDIP

包装材料 Tube

包装 32EDIP

类型 NVSRAM

总线类型 Parallel

密度 2 Mb

组织 256Kx8

数据总线宽度 8 Bit

工作电源电压 5 V

工作温度 -40 to 85 °C

标准包装 Rail / Tube

封装 Tube

格式 - 存储器 RAM

供应商设备封装 32-EDIP

内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

存储容量 2M (256K x 8)

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

封装/外壳 32-DIP Module (0.600'. 15.24mm)

接口 Parallel

速度 85ns

RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

其他名称 DS1249Y85IND

封装/外壳 32-DIP Module (0.600'. 15.24mm)

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王工

伍工

罗工

规格书	DS1249AB-DS1249Y
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	11
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小	2M (256K x 8)
速度	85ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.5 V ~ 5.5 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	32-DIP Module (0.600. 15.24mm)
供应商器件封装	32-EDIP
包装材料	Tube
包装	32EDIP
类型	NVSRAM
总线类型	Parallel
密度	2 Mb
组织	256Kx8
数据总线宽度	8 Bit
工作电源电压	5 V
工作温度	-40 to 85 °C
标准包装	Rail / Tube
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	32-EDIP
内存类型	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量	2M (256K x 8)
电压 - 电源	4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳	32-DIP Module (0.600'. 15.24mm)
接口	Parallel
速度	85ns
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
其他名称	DS1249Y85IND
封装/外壳	32-DIP Module (0.600'. 15.24mm)