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DS1220AB-200+产品详细规格
规格书
DS1220AB. AD
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 14 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 16K (2K x 8) 速度 200ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 4.75 V ~ 5.25 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 24-DIP Module (0.600. 15.24mm) 供应商器件封装 24-EDIP 包装材料 Tube 包装 24EDIP 类型 NVSRAM 总线类型 Parallel 密度 16 Kb 组织 2Kx8 数据总线宽度 8 Bit 工作电源电压 5 V 工作温度 0 to 70 °C 标准包装 Rail / Tube 封装 Tube 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 24-EDIP 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 存储容量 16K (2K x 8) 电压 - 电源 4.75 V ~ 5.25 V 接口 Parallel 速度 200ns 封装/外壳 24-DIP Module (0.600'. 15.24mm) RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 外形尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm 身高 9.4mm 接口类型 Parallel 长度 34.04mm 最大工作电源电压 5.25 V 最高工作温度 +70 °C 最大随机存取时间 200ns 最低工作电源电压 4.75 V 最低工作温度 0 °C 安装类型 Through Hole 组织 2K x 8 bit 包装类型 EDIP 引脚数 24 宽度 18.29mm 系列 DS1220AB RoHS RoHS Compliant 安装风格 Through Hole 电源电压 - 最大 5.25 V 封装/外壳 EDIP 电源电压 - 最小 4.75 V 访问时间 200 ns 工作电流 75 mA
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