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MR1A16AVYS35产品详细规格

规格书

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 135

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM)

内存大小 2M (128K x 16)

速度 35ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 3 V ~ 3.6 V

操作温度 -40°C ~ 105°C

包/盒 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width)

供应商器件封装 44-TSOP II

包装材料 Tray

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MR1A16AVYS35

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王工

伍工

罗工

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Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	135
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小	2M (128K x 16)
速度	35ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 105°C
包/盒	44-TSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装	44-TSOP II
包装材料	Tray