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MR2A08AMYS35
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MR2A08AMYS35

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MR2A08AMYS35产品详细规格

规格书 MR2A08AMYS35 datasheet 规格书
MRAM Brochure
MR2A08A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 135
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小 4M (512K x 8)
速度 35ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 125°C
包/盒 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装 44-TSOP II
包装材料 Tray
RoHS RoHS Compliant
数据总线宽度 8 bit
存储容量 4 Mbit
组织 512 K x 8
接口类型 Parallel
访问时间 35 ns
电源电压 - 最大 3.6 V
电源电压 - 最小 3 V
工作电流 50 mA
最高工作温度 + 125 C
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 TSOP-44
封装 Tray
安装风格 SMD/SMT
寿命 New At Mouser
安装 Surface Mount
Package Width 10.29(Max)
PCB 44
筛选等级 Automotive
类型 MRAM
典型工作电源电压 3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 4M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TSOP-II
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 125
数据总线宽度 8
Package Length 18.54(Max)
最低工作电源电压 3
引脚数 44
最大工作电流 135
Package Height 1.05(Max)
最大随机存取时间 35
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Gull-wing
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 44-TSOP2 (10.2x18.4)
内存类型 MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度 -40°C ~ 125°C
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
标准包装 135
接口 Parallel
速度 35ns
其他名称 819-1026
封装/外壳 44-TSOP (0.400'. 10.16mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 MR2A08A

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