MR2A08AMYS35R产品详细规格

规格书	MRAM Brochure MR2A08A
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小	4M (512K x 8)
速度	35ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
包/盒	44-TSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装	44-TSOP II
包装材料	Tape & Reel (TR)
Tensione d'alimentazione d'esercizio minima	3
Package Width	10.29(Max)
Tensione d'esercizio tipica	3.3
Organizzazione	512Kx8
Montaggio	Surface Mount
Tensione d'alimentazione d'esercizio massima	3.6
Confezione fornitore	TSOP-II
PCB	44
Densità	4M
符合UE	Compliant
TIPO	MRAM
Ampiezza bus dati	8
Temperatura d'esercizio minima	-40
经conduttore	Gull-wing
NUMERO DEI针	44
Confezione	Tape and Reel
Corrente d'esercizio massima	135
Package Length	18.54(Max)
Package Height	1.05(Max)
TIPO二interfaccia	Parallel
诺姆标准苏拉confezione	TSOP
Tempo di accesso massimo random	35
Massima temperatura d'esercizio	125
Livello二筛查	Automotive
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1.000
供应商设备封装	44-TSOP2 (10.2x18.4)
内存类型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度	-40°C ~ 125°C
存储容量	4M (512K x 8)
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
封装/外壳	44-TSOP (0.400'. 10.16mm Width)
接口	Parallel
速度	35ns
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
数据总线宽度	8 bit
系列	MR2A08A
RoHS	RoHS Compliant
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
接口类型	Parallel
最低工作温度	- 40 C
组织	512 K x 8
电源电压 - 最小	3 V
最高工作温度	+ 125 C
访问时间	35 ns
工作电流	50 mA

商品标签