MR25H40CDF产品详细规格

规格书	MRAM Brochure MR20H40. MR25H40
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	8-DFN-EP. Small Flag (5x6)
内存类型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	4M (512K x 8)
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
标准包装	570
接口	SPI Serial
速度	40MHz
其他名称	819-1040
封装/外壳	8-VDFN Exposed Pad
数据总线宽度	8 bit
最低工作温度	- 40 C
工作温度范围	- 40 C to + 85 C
系列	MR25H40
最大功率耗散	0.6 W
电源电压 - 最大	3.6 V
接口类型	SPI
工作电压	3 V to 3.6 V
封装/外壳	DFN-8
组织	512 K x 8
电源电压 - 最小	3 V
最高工作温度	+ 85 C
RoHS	RoHS Compliant
工作电流	20 mA
访问时间（最大）	9 ns
安装	Surface Mount
工作温度范围	-40C to 85C
包装类型	DFN EP
引脚数	8
密度	4194304 Bit
类型	MRAM
字长	8 b
工作温度分类	Industrial
电源电流	42 mA
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V
工作电源电压（最小值）	3 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V

商品标签